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PSMN6R0-30YLB,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PSMN6R0-30YLB,115詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V LFPAK
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：71A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 20A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.95V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1088pF @ 15V
功率_最大：58W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商設備封裝：LFPAK，Power-SO8
包裝：帶卷 (TR)

PSMN6R0-30YLB,115詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V LFPAK
系列：*
制造商：NXP Semiconductors
FET型：
FET特點：
漏極至源極電壓333Vdss444：
電流_連續漏極333Id4440a025000C：
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id時的Vgs333th444（最大）：
閘電荷333Qg4440a0Vgs：
輸入電容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安裝類型：
封裝/外殼：
供應商設備封裝：
包裝：

PSMN6R0-30YLB,115詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V LFPAK
系列：*
制造商：NXP Semiconductors
FET型：
FET特點：
漏極至源極電壓333Vdss444：
電流_連續漏極333Id4440a025000C：
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id時的Vgs333th444（最大）：
閘電荷333Qg4440a0Vgs：
輸入電容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安裝類型：
封裝/外殼：
供應商設備封裝：
包裝：

PSMN6R0-30YLB,115供應商

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