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PSMN5R8-30LL,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V QFN3333; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1316pF @ 15V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-QFN（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

PSMN5R8-30LL,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V QFN3333; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1316pF @ 15V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-QFN（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

PSMN5R8-30LL,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V QFN3333; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1316pF @ 15V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-QFN（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

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