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PSMN4R6-60PS,127 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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PSMN4R6-60PS,127詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V TO220AB
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 25A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：70.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4426pF @ 30V
功率_最大：211W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

PSMN4R6-60PS,127詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 60V TO220AB
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 25A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：70.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4426pF @ 30V
功率_最大：211W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

PSMN4R6-60PS,127供應(yīng)商

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