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PSMN1R6-30PL,127 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PSMN1R6-30PL,127詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 毫歐 @ 25A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：212nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：12493pF @ 12V
功率_最大：306W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應商設備封裝：TO-220AB
包裝：管件

PSMN1R6-30PL,127詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 毫歐 @ 25A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.15V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：212nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：12493pF @ 12V
功率_最大：306W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應商設備封裝：TO-220AB
包裝：管件

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