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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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PMK35EP,518 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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PMK35EP,518詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC
系列：*
制造商：NXP Semiconductors
FET型：
FET特點(diǎn)：
漏極至源極電壓333Vdss444：
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：
閘電荷333Qg4440a0Vgs：
輸入電容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安裝類型：
封裝/外殼：
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
包裝：

PMK35EP,518詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC
系列：*
制造商：NXP Semiconductors
FET型：
FET特點(diǎn)：
漏極至源極電壓333Vdss444：
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：
閘電荷333Qg4440a0Vgs：
輸入電容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安裝類型：
封裝/外殼：
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
包裝：

PMK35EP,518詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC
系列：TrenchMOS™
制造商：NXP Semiconductors
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 9.2A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2100pF @ 25V
功率_最大：6.9W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

PMK35EP,518供應(yīng)商

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