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PEMH1,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMH10,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMH11,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMH11,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMH11,315詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS ARRAY NPN/NPN SOT-666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

PEMH13,115詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS NPN/NPN 50V 100MA SOT666; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：300mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-666; 包裝：帶卷 (TR)

TK121X01
評估演示板和套件 Kyocera Display America, Inc. TO-220-3 整包 TOOLKIT TFT 12.1" XGA
V24C5C100BG
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5V 100W
TLC274BCDRG4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SOIC
UPV1A271MGD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 270UF 10V 20% RADIAL
UPW2E2R2MPD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 2.2UF 250V 20% RADIAL
PEMF21,115
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 LOADSWITCH PNP 12V 500MA SOT666
TPS799315DDCRG4
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-23-5 細型，TSOT-23-5 IC REG LDO 3.15V .2A 5-SOT
V24C5C125BF2
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5V 125W
TLC274BID
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SOIC
TPS799315YZUR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 5-UFBGA，DSBGA IC REG LDO 3.15V .2A 5-DSBGA
V24C5C125BF2
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5V 125W
TLC274CDBR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC OPAMP GP 2.2MHZ QUAD 14SSOP
UPV1C560MFD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 56UF 16V 20% RADIAL
PEMH30,115
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 NXP Semiconductors SOT-563，SOT-666 TRANS NPN/NPN W/RES 50V SOT666
TPS79932YZUR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 5-UFBGA，DSBGA IC REG LDO 3.2V .2A 5-DSBGA