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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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PEMD6 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PEMD6,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1mA，5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：1µA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-666
包裝：帶卷 (TR)

PEMD6,115詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS NPN/PNP 50V 100MA SOT666
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1mA，5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：1µA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-666
包裝：帶卷 (TR)

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