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PDTC123JT,235 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PDTC123JT,235詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：1µA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB
包裝：帶卷 (TR)

PDTC123JT,235詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：1µA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB
包裝：Digi-Reel®

PDTC123JT,235詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：1µA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB
包裝：帶卷 (TR)

PDTC123JT,235詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 50V SOT-23
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k
電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：100mV @ 250µA，5mA
電流_集電極截止（最大）：1µA
頻率_轉(zhuǎn)換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB
包裝：剪切帶 (CT)

PDTC123JT,235供應(yīng)商

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