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PDTC114EM 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PDTC114EM,315詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS NPN 50V 100MA SOT883
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：10k
電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：1µA
頻率_轉換：-
功率_最大：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-101，SOT-883
供應商設備封裝：SOT-883
包裝：帶卷 (TR)

PDTC114EMB,315詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANSISTOR NPN W/RES XQFN3
系列：*
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：
電流_集電極333Ic444（最大）：
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：
電阻器_基極333R1444（歐）：
電阻器_發射極333R2444（歐）：
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：
電流_集電極截止（最大）：
頻率_轉換：
功率_最大：
安裝類型：
封裝/外殼：
供應商設備封裝：
包裝：

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