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PDTA123EE,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75; 包裝：帶卷 (TR)

PDTA123EE,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75; 包裝：剪切帶 (CT)

PDTA123EE,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75; 包裝：帶卷 (TR)

PDTA123EE,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP W/RES 50V SOT-416; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 20mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：1µA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75; 包裝：Digi-Reel®

PDTA115TM,315
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 NXP Semiconductors SC-101，SOT-883 TRANS PNP W/RES 50V SOT-883
MC9S12XDG128CAL
嵌入式 - 微控制器， Freescale Semiconductor 112-LQFP IC MCU 16BIT 128K FLASH 112-LQFP
RW1S0BAR200J
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .200 OHM 1W 5% SMT
SA305C184KARC
陶瓷 AVX Corporation 軸向 CAP CER 0.18UF 50V 10% AXIAL
RT0603BRD07107KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 107K OHM 1/10W .1% SMD 0603
PT81.5BN
同軸，RF Laird Technologies IAS 44-SIP SMD 模塊 CBL ASSY 58A BNCM NM
MS3475W18-11SZ
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS CABLE SCKT
MC9S12XDT256MAL
嵌入式 - 微控制器， Freescale Semiconductor 112-LQFP IC MCU 256K FLASH 112-LQFP
RW1S0BAR240J
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .240 OHM 1W 5% SMT
PT81.5NT
同軸，RF Laird Technologies IAS 44-SIP SMD 模塊 CBL ASSY 58A NM TNCM
RT0603BRD07107RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 107 OHM 1/10W .1% SMD 0603
MS3475W18-30BX
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 30POS SCKT
MC9S12XEP100MAL
嵌入式 - 微控制器， Freescale Semiconductor 112-LQFP IC MCU 16BIT 1M FLASH 112-LQFP
PDTA123ES,126
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS PNP W/RES 50V TO-92
RW1S0BAR240JE
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2512 J 形引線 RES POWER .240 OHM 1W 5% SMT

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