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PBSS5350Z 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PBSS5350Z,135詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS PNP 50V 3A SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 200mA，2A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 2A，2V
功率_最大：2W
頻率_轉換：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SC-73
包裝：剪切帶 (CT)

PBSS5350Z,135詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS PNP 50V 3A SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 200mA，2A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 2A，2V
功率_最大：2W
頻率_轉換：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SC-73
包裝：帶卷 (TR)

PBSS5350Z,135詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS PNP 50V 3A SOT223
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：3A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 200mA，2A
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 2A，2V
功率_最大：2W
頻率_轉換：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝：SC-73
包裝：Digi-Reel®

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