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PBSS4580PA,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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PBSS4580PA,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 80V 5.6A SOT1061
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：5.6A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：320mV @ 280mA，5.6A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.1W
頻率_轉換：155MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：3-HUSON
包裝：Digi-Reel®

PBSS4580PA,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 80V 5.6A SOT1061
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：5.6A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：320mV @ 280mA，5.6A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.1W
頻率_轉換：155MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：3-HUSON
包裝：帶卷 (TR)

PBSS4580PA,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 80V 5.6A SOT1061
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：5.6A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：320mV @ 280mA，5.6A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.1W
頻率_轉換：155MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：3-HUSON
包裝：帶卷 (TR)

PBSS4580PA,115詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANSISTOR NPN 80V 5.6A SOT1061
系列：-
制造商：NXP Semiconductors
晶體管類型：NPN
電流_集電極333Ic444（最大）：5.6A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：320mV @ 280mA，5.6A
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：2.1W
頻率_轉換：155MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-UDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：3-HUSON
包裝：剪切帶 (CT)

PBSS4580PA,115供應商

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