

PBSS4350S,126詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 50V 3A LOW SAT TO92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):290mV @ 200mA,2A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,2V
- 功率_最大:830mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
PBSS4350SPN,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN,PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):2.7A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):340mV @ 270mA,2.7A / 370mV @ 270mA,2.7A
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V / 180 @ 1A,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
PBSS4350SPN,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN,PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):2.7A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):340mV @ 270mA,2.7A / 370mV @ 270mA,2.7A
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V / 180 @ 1A,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
PBSS4350SPN,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN/PNP W/RES 50V 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:NPN,PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):2.7A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):340mV @ 270mA,2.7A / 370mV @ 270mA,2.7A
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V / 180 @ 1A,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
PBSS4350SS,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS ARR 2NPN 50V 2.7A 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):2.7A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):340mV @ 270mA,2.7A
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
- 功率_最大:2W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
PBSS4350SS,115詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS ARR 2NPN 50V 2.7A 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):2.7A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):340mV @ 270mA,2.7A
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 1A,2V
- 功率_最大:2W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Microsemi SoC 484-BGA IC FPGA PIGEON POINT 484-FBGA
- 端子 - 鏟形 Panduit Corp 6-SMD,無引線(DFN,LCC) TERM FORK NON INS 16-14AWG
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors 3-UDFN 裸露焊盤 TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 16POS
- 其它 International Rectifier IGBT 330V 40A 78W DPAK
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - QC 端子 CAP FILM 1UF 3KVDC QC TERM
- 評估演示板和套件 Omron Electronics Inc-EMC Div 484-BGA DVI EVAL BOARD - MINI MODULE
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP R-R 50MHZ SGL 8SOIC
- 端子 - 環形 Panduit Corp 6-SMD,無引線(DFN,LCC) TERM RING NON-INSULATED 16-14AWG
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向,Can - QC 端子 TRANSFORMER 0-PHASE CURRENT 100A
- 評估演示板和套件 Omron Electronics Inc-EMC Div 484-BGA DVI EVAL BOARD - DATA MODULE
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT ULT FAST DIO 600V TO-220AB
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP R-R 50MHZ SGL 8SOIC
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 50V 2A SOT23
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 18POS