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» 型號"PBSS4021SN,115"的供應信息
PBSS4021SN,115 全國供應商、價格、PDF資料
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PBSS4021SN,115詳細規格
類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):7.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):275mV @ 375mA,7.5A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 4A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
PBSS4021SN,115詳細規格
類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):7.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):275mV @ 375mA,7.5A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 4A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)
PBSS4021SN,115詳細規格
類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):7.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):275mV @ 375mA,7.5A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 4A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®
PBSS4021SN,115詳細規格
類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS ARRAY NPN/NPN 20V 6.3A SO8
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:2 NPN(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):7.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):275mV @ 375mA,7.5A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:250 @ 4A,2V
功率_最大:2.3W
頻率_轉換:115MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
PBSS4021SN,115供應商
查看更多PBSS4021SN,115的供應商
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PBSS4021PZ,115
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