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NVB6410ANT4G 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

NVB6410ANT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：76A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 76A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V; 功率_最大：188W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

TAS5010IPFB
線性 - 音頻處理 Texas Instruments 48-TQFP IC DIGITAL AUDIO PWM PROC 48TQFP
TNPW251251R1BEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 51.1 OHM 1/2W 0.1% 2512
NTTFS4821NTAG
FET - 單 ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
TNPW120673K2BEEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 73.2K OHM 1/4W 0.1% 1206
TLD5085EJ
PMIC - LED 驅(qū)動(dòng)器 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DC-DC CONV STP-DWN 1.8A DSO8
NVB60N06T4G
FET - 單 ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V D2PAK
TNPW2512523RBEEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 523 OHM 1/2W 0.1% 2512
TAS5010IPFBG4
線性 - 音頻處理 Texas Instruments 48-TQFP IC AUDIO PWM PROC 48TQFP
NTTFS4823NTWG
FET - 單 ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN
TLE1105DF160Q
觸摸 E-Switch 徑向 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
TNPW2512549KBEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 549K OHM 1/2W 0.1% 2512
TAS5010PFBG4
線性 - 音頻處理 Texas Instruments 48-TQFP IC DIGITAL AUDIO PWM PROC 48TQFP
NTTFS4824NTAG
FET - 單 ON Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
NV-CN001
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA SPARE PARTS OF PS/COMCONNECTOR
TNPW120676K8BEEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 76.8K OHM 1/4W 0.1% 1206