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NTTD1P02 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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NTTD1P02R2詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.45A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.45A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 16V
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?
包裝：帶卷 (TR)

NTTD1P02R2G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.45A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 1.45A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 16V
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?
包裝：帶卷 (TR)

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