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NTR1P02LT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NTR1P02LT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V
功率_最大：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：帶卷 (TR)

NTR1P02LT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V
功率_最大：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：剪切帶 (CT)

NTR1P02LT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V
功率_最大：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
包裝：Digi-Reel®

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