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NTMS4700NR2 全國供應商、價格、PDF資料

NTMS4700NR2詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.2 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 24V; 功率_最大：860mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

NTMS4700NR2詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.2 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 24V; 功率_最大：860mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

NTMS4700NR2G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.2 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 24V; 功率_最大：860mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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NUP8011MUTAG
TVS - 其它復合 ON Semiconductor 8-UFDFN 裸露焊盤 IC TVS ARRAY LO CAP ESD 8-UDFN
MS3122E20-41S
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MAZ8200GML
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MS3116J22-55SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 55POS STRAIGHT W/SCKT
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