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NTMFS4897NFT1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V SO-8FL; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 22A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：83.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5660pF @ 15V; 功率_最大：950mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）; 供應商設備封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）; 包裝：剪切帶 (CT)

NTMFS4897NFT1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V SO-8FL; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 22A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：83.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5660pF @ 15V; 功率_最大：950mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）; 供應商設備封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）; 包裝：Digi-Reel®

NTMFS4897NFT1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V SO-8FL; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 22A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：83.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5660pF @ 15V; 功率_最大：950mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）; 供應商設備封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）; 包裝：帶卷 (TR)

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