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NTLJF3117PT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NTLJF3117PT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
系列：µCool™
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：二極管（隔離式）
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：531pF @ 10V
功率_最大：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：6-WDFN（2x2）
包裝：Digi-Reel®

NTLJF3117PT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
系列：µCool™
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：二極管（隔離式）
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：531pF @ 10V
功率_最大：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：6-WDFN（2x2）
包裝：帶卷 (TR)

NTLJF3117PT1G詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
系列：µCool™
制造商：ON Semiconductor
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：二極管（隔離式）
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：531pF @ 10V
功率_最大：710mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：6-WDFN（2x2）
包裝：剪切帶 (CT)

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