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NTJD4105CT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NTJD4105CT1G詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V，8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：630mA，775mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：375 毫歐 @ 630mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：46pF @ 20V
功率_最大：270mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝：SOT-363
包裝：剪切帶 (CT)

NTJD4105CT1G詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N+P 20,8V 630MA SOT-363
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V，8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：630mA，775mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：375 毫歐 @ 630mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：46pF @ 20V
功率_最大：270mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝：SOT-363
包裝：Digi-Reel®

NTJD4105CT1G詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363
系列：-
制造商：ON Semiconductor
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V，8V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：630mA，775mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：375 毫歐 @ 630mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：46pF @ 20V
功率_最大：270mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝：SOT-363
包裝：帶卷 (TR)

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