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NTD65N03R詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 20V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

NTD65N03R-001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 20V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD65N03R-035詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 20V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD65N03R-1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 20V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD65N03RG詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 20V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

NTD65N03RT4詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 20V; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

NTMS4503NR2G
FET - 單 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET PWR SGL N-CH 28V 8SOIC
TLC5946PWPG4
PMIC - LED 驅動器 Texas Instruments 28-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤 IC LED DRIVER LINEAR 28-TSSOP
TAP476K025CCS
鉭 AVX Corporation 徑向 CAP TANT 47UF 25V 10% RADIAL
TNPW251230K1BEEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 30.1K OHM 1/2W 0.1% 2512
T322B105K050AT
鉭 Kemet 軸向 CAP TANT 1UF 50V 10% AXIAL
NTD6416ANT4G
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
NTMS4706NR2G
FET - 單 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
TNPW2512316KBETG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 316K OHM 1/2W 0.1% 2512
TAP476K035CRS
鉭 AVX Corporation 徑向 CAP TANT 47UF 35V 10% RADIAL
TLC5946RHBRG4
PMIC - LED 驅動器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盤 IC LED DRIVER LINEAR 32-QFN
NTMS4802NR2G
FET - 單 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
TAP476M006GSB
鉭 AVX Corporation 徑向 CAP TANT 47UF 6.3V 20% RADIAL
TNPW2512316RBEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 316 OHM 1/2W 0.1% 2512
NTD78N03G
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
T322B155K025AS
鉭 Kemet 軸向 CAP TANT 1.5UF 25V 10% AXIAL

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