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NTD40N03R-001詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 45A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.78nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：584pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD40N03R-1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.78nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：584pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD40N03RG詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.78nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：584pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

NTD40N03RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.78nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：584pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

NTD40N03RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.78nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：584pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

NTD40N03RT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.78nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：584pF @ 20V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

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