NTD20N03L27詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1260pF @ 25V
- 功率_最大：1.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：DPAK-3
- 包裝：管件
NTD20N03L27-001詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1260pF @ 25V
- 功率_最大：1.75W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應商設備封裝：I-Pak
- 包裝：管件
NTD20N03L27-1G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1260pF @ 25V
- 功率_最大：1.75W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應商設備封裝：I-Pak
- 包裝：管件
NTD20N03L27G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1260pF @ 25V
- 功率_最大：1.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：DPAK-3
- 包裝：管件
NTD20N03L27T4G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1260pF @ 25V
- 功率_最大：1.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：DPAK-3
- 包裝：帶卷 (TR)
NTD20N03L27T4G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：20A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 10A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.9nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1260pF @ 25V
- 功率_最大：1.75W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：DPAK-3
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
- 通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 270K OHM .5W CARB COMP
- 風扇 - AC Orion Fans 軸向 FAN 115VAC 172X150X38.5MM 162CFM
- FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 20MHZ DUAL 8SOIC
- 固定式 TDK Corporation 1008（2520 公制） INDUCTOR POWER 0.12UH 1008
- 時鐘/計時 - 專用 IDT, Integrated Device Technology Inc 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CLOCK DRIVER 2.5V 40-VFQFPN
- 通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 27 OHM 1W CARB COMP
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
- 通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 18 OHM 1W CARB COMP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盤 IC OPAMP GP CMOS 20MHZ DUAL 8SON
- 固定式 TDK Corporation 1008（2520 公制） INDUCTOR POWER 0.15UH 1008
- 時鐘/計時 - 專用 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-VFBGA IC CLOCK DRIVER 28-CABGA
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
- FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
0755-83222787 
