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NTD18N06L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD18N06L-001詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD18N06L-1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD18N06LG詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：管件

NTD18N06LT4詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：帶卷 (TR)

NTD18N06LT4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：675pF @ 25V; 功率_最大：55W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：DPAK-3; 包裝：Digi-Reel®

HCPL-314J
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） OPTOCOUPLER GATE DRV 0.4A 16SOIC
MS3101A28-3S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS FREE HNG W/SCKT
H5BBT-10108-A9-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064A/H2728TR 8"
MS27656E15B05P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
NTD18N06LG
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
MS3102E24-25P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS BOX MNT W/PINS
HC2-HP-AC120V-VDE
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPDT 7A 120V
HCPL-3150-500E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER GATE DRIVE 0.6A 8SMD
H5BBT-10108-B0-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040B/H2730TR 8"
MS27656E15B15SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 15POS WALL MNT W/SCKT
MS3101A28-51P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS FREE HNG W/PINS
MS3102E24-27S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/SCKT
HC2-HP-AC24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPDT 7A 24V
HCPL-315J#500
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）12 引線 OPTOCOUPLER 2CH 0.6A 16-SOIC
H5BBT-10108-L2-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2016L/H2730TR 8"