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NSS20601CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 20V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：6A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：130mV @ 400mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

NSS20601CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 20V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：6A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：130mV @ 400mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

NSS20601CF8T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN 20V 8A 1206A CHIPFET; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：6A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：130mV @ 400mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1A，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉換：140MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

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