NSBC114TDXV6 全國供應商、價格、PDF資料
NSBC114TDXV6T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
NSBC114TDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:Digi-Reel®
NSBC114TDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
NSBC114TDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
NSBC114TDXV6T5詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
NSBC114TDXV6T5G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology 模塊,連接器 SWITCH PHOTOLOGIC OPTICAL FLAG
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Lattice Semiconductor Corporation 256-BGA IC FPGA 1568LUTS 221I/O 256BGA
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 TT Electronics/Optek Technology 4-SMD,鷗翼型 PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN
- PMIC - 激光驅動器 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盤 IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER PHOTODARL 6SMD
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
- 支架 - 元件 Bud Industries TO-3-8 PANEL ALUMINUM 19" WHITE TEXTURE
- 光學 - 反射式 - 模擬輸出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安裝 SENSR OPTO TRANS 3.81MM REFL PCB
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Lattice Semiconductor Corporation 256-BGA IC FPGA 2592LUTS 288I/O 256BGA
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-VQFN 裸露焊盤 IC OPAMP LIMIT DIFF 4.5GHZ 16QFN
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER DARL-OUT 6-SMD
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
- 支架 - 元件 Bud Industries TO-3-8 PANEL ALUMINUM 19" BLK TEXTURED
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 TT Electronics/Optek Technology 4-SMD,鷗翼型 PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN