NSBA123JDXV6 全國供應商、價格、PDF資料
NSBA123JDXV6T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
NSBA123JDXV6T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
NSBA123JDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
NSBA123JDXV6T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
NSBA123JDXV6T5G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):2.2k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:500mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology 模塊,預接線 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
- 光纖 - 發射器 - 離散式 TT Electronics/Optek Technology LED FIBER OPTC GAAIAS HS TO18 ST
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
- 配件 Cooper Bussmann TO-18 小型 COVER PROTECTIVE 3POS OPM MODULE
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- RF FET NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET RF TO220AB TO220AB
- 光隔離器 - 三端雙向可控硅,SCR輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRIAC ZC 6-MDIP
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology 模塊,預接線 SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL
- 配件 Cooper Bussmann TO-18 小型 MARKING TABS OPM FUSE HOLDER
- RF FET NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET RF SOT404 D2PAK
- 光隔離器 - 三端雙向可控硅,SCR輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRIAC ZC 6-SMD
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Dialight - FLARE LENS FOR LUXEON 10 X 80DEG
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安裝 SWITCH PHOTOLOGIC SLOT OPTICAL