NP110N03PUG 全國供應商、價格、PDF資料
NP110N03PUG-E1-AY詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：110A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 毫歐 @ 55A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：380nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：24600pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263
- 包裝：帶卷 (TR)
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENS 1000PSI M12-1.0 6G 1-5V
- FET - 單 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
- 嵌入式 - 微控制器， Freescale Semiconductor 144-LQFP IC ARM CORTEX MCU 512KB 144LQFP
- 邏輯 - 柵極和逆變器 ON Semiconductor 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC INVERTER SGL UNBUFFER SOT353
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG CTRLR PWM CM 8MSOP
- 數據采集 - 數模轉換器 Maxim Integrated 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DAC 8BIT DL MULT 20-SOIC
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div * RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 120V
- 邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SOIC
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1000PSI M12-1.0 6G 4-20MA
- 邏輯 - 柵極和逆變器 ON Semiconductor 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC INVERTER SGL UNBUFFER SOT353
- 數據采集 - 模數轉換器 Maxim Integrated 24-DIP（0.300"，7.62mm） IC ADC 12BIT HS 24-DIP
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC REG CTRLR PWM CM 8-DIP
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div * RELAY GEN PURPOSE 4PDT 3A 120V
- 邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20SSOP
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENS 1000PSI 22MM 1/4-18 5V 12"
0755-82563615 
0755-23914006 
