NP100P04PDG 全國供應商、價格、PDF資料
NP100P04PDG-E1-AY詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：320nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15100pF @ 10V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：TO-263
- 包裝：帶卷 (TR)
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SOIC
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SOT-963 TRANS ARRAY PNP/PNP SSS MINI-6P
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 100V 10% X7R 1206
- 氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 4V 2312
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 28-VFQFN 裸露焊盤 IC PWR AMP 2.3-2.5GHZ 28QFN
- 氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 15UF 6.3V 1206
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 100V 20% X7R 1206
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
- RF 放大器 Avago Technologies US Inc. TO-243AA IC RF AMP GAAS MMIC 3GHZ SOT-89
- 氧化鈮 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- 固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 1.0UH SMD
0755-82522939 
18026926850/0 
