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NE3514S02-T1D-A詳細規格: 類別：RF FET; 描述：HJ-FET NCH 10DB S02; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：HFET; 頻率：20GHz; 增益：10dB; 電壓_測試：2V; 額定電流：70mA; 噪音數據：0.75dB; 電流_測試：10mA; 功率_輸出：-; 電壓_額定：4V; 封裝/外殼：4-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：S02; 包裝：帶卷 (TR)

NE3514S02-T1D-A供應商

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MFR-25FRF-887K
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 887KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2R01PA5100N9LF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN RECEPT 110POS TYPE A R/A
NE3509M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NOSV477M006R0075
氧化鈮 AVX Corporation 2924（7361 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
NLFV25T-100K-PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
MT5000-3/8-2-SP
熱縮管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
NE5531079A-T1-A
RF FET CEL 4-SMD，扁平引線 FET RF LDMOS 460MHZ 7.5V 79A
MT4VDDT1664HG-335F3
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
MFR-25FRF-8K06
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
NLFV25T-330K-PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD 33UH 10% 252018
NOSW476M004R0150
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
NE5532AD8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC
MT5000-3/8-9-SP
熱縮管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
MFR-25FRF-8K66
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 8.66KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT4VDDT1664HY-40BK1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR SDRAM 128MB 200SODIMM