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NE3509M04-T2-A詳細規格: 類別：RF FET; 描述：AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：HFET; 頻率：2GHz; 增益：17.5dB; 電壓_測試：2V; 額定電流：60mA; 噪音數據：0.4dB; 電流_測試：10mA; 功率_輸出：11dBm; 電壓_額定：4V; 封裝/外殼：SOT-343F; 供應商設備封裝：M04; 包裝：剪切帶 (CT)

NE3509M04-T2-A詳細規格: 類別：RF FET; 描述：AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：HFET; 頻率：2GHz; 增益：17.5dB; 電壓_測試：2V; 額定電流：60mA; 噪音數據：0.4dB; 電流_測試：10mA; 功率_輸出：11dBm; 電壓_額定：4V; 封裝/外殼：SOT-343F; 供應商設備封裝：M04; 包裝：Digi-Reel®

NE3509M04-T2-A詳細規格: 類別：RF FET; 描述：AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343; 系列：-; 制造商：CEL; 晶體管類型：HFET; 頻率：2GHz; 增益：17.5dB; 電壓_測試：2V; 額定電流：60mA; 噪音數據：0.4dB; 電流_測試：10mA; 功率_輸出：11dBm; 電壓_額定：4V; 封裝/外殼：SOT-343F; 供應商設備封裝：M04; 包裝：帶卷 (TR)

NE3509M04-T2-A供應商

查看更多NE3509M04-T2-A的供應商

NOSC107M004R0150
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312
NE3508M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ 4-TSMM
NLAST4051DR2
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX 1X8 16SOIC
NE01-CCPC1-EL30
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
MT48V4M32LFF5-10:G
存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 90VFBGA
MFR-25FRF-53K6
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 53.6KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2P88PD81K1N9LF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
NOSC157M002R0065
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 2.5V 2312
NLFC201614T-2R2M-PF
固定式 TDK Corporation 0806（2016 公制） INDUCTOR SHIELD 2.2UH 20% 0806
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR
存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
MFR-25FRF-549K
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 549KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
NE01-CCPC1-ELXX
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE SITE LICENSE
HM2P88PK8111GFLF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE E VERT
NOSC157M004R0090
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 4V 2312
NLFC453232T-100K-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 1812