NE3509M04-A 全國供應商、價格、PDF資料
NE3509M04-A詳細規格
- 類別：RF FET
- 描述：AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
- 系列：-
- 制造商：CEL
- 晶體管類型：HFET
- 頻率：2GHz
- 增益：17.5dB
- 電壓_測試：2V
- 額定電流：60mA
- 噪音數據：0.4dB
- 電流_測試：10mA
- 功率_輸出：11dBm
- 電壓_額定：4V
- 封裝/外殼：SOT-343F
- 供應商設備封裝：M04
- 包裝：散裝
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 825 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE SDRAM DDR2 512MB 240DIMM
- RF FET CEL TO-243AA MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89
- 氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 4.7UH 20% 1812
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC SWITCH SPDT SC88
- RF FET CEL 4-SMD，扁平引線 MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 86.6 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 6.8UH 20% 1812
- 氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
- 熱縮管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 128MB 184-DIMM
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 887KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
0755-22655674 
