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NDS8852H詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 3.4A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A，3.4A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 3.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 2220（5650 公制） INDUCTOR POWER 3.9UH 1.05A 2220
- 氧化鈮 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 10UF 6.3V 1210
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 110POS TYPE AB VERT
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-SOIC
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TSSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 261 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 氧化鈮 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 10UF 10V 1210
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 110POS TYPE AB VERT
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 24-DIP 模塊（600 mil，8 引線） NE1S V3 SOFTWARE 30 LICENSE
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 287KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 95POS TYPE AB VERT
13510131896 
0755-23914006 
