NDH832P詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫歐 @ 4.2A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SSOT,SuperSOT-8
- 供應商設備封裝:8-SSOT
- 包裝:帶卷 (TR)
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 11MM
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 磁體 Standex-Meder Electronics TO-220-3 整包 MAGNET PERM NDFEB 6.0X10.0MM
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 4.7UH 5% 1812
- 存儲器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 11.8 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 180UH 120MA 10%
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
- 存儲器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 12.4KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 56UH 5% 1812
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR 1UH 10% 453232