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MVE6.3VC471MH10TP詳細規格: 類別：電容器; 描述：CAP ALUM 470UF 6.3V 20% SMD; 系列：MVE; 制造商：United Chemi-Con; 電容：470µF; 額定電壓：6.3V; 容差：±20%; 壽命0a0溫度：105°C 時為 2000 小時; 工作溫度：-40°C ~ 105°C; 特點：通用; 紋波電流：320mA; ESR（等效串聯電阻）：1.587 歐姆; 阻抗：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：徑向，Can - SMD; 尺寸/尺寸：0.315" 直徑（8.00mm）; 高度_座高（最大）：0.394"（10.00mm）; 引線間隔：-; 表面貼裝占地面積：0.327" L x 0.327" W（8.30mm x 8.30mm）; 包裝：帶卷 (TR)

MVE6.3VC471MH10TP供應商

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MT8VDDT3264AG-265GB
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE SDRAM DDR 256MB 184DIMM
MVE50VE471MM17TR
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 470UF 50V 20% SMD
ONET1191VRGPT
PMIC - 激光驅動器 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盤 IC LSR CTRLR 11.3GBPS 3.6V 20QFN
MX2-A4015-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA，CSPBGA MX2 460V 3PH 2HP VALUE PACK
HF659/36SF
扁平帶 3M CABLE 36COND RND SHIELD GRY 5’
MT36JSZF51272PZ-1G4G1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-RDIMM MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM
MCR03EZPJ684
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 680K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MCR18EZHF2673
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 267K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MT8VDDT3264AG-40BG6
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 256MB 184-DIMM
HF659/50
扁平帶 3M CABLE 50COND RND SHIELD GRY 275’
MX2-AB007-VP
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA，CSPBGA MX2 230V 1PH VALUE PACK
MCR03EZPJ685
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 6.8M OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT36KDZS1G72PZ-1G4D1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-RDIMM MODULE DDR3 SDRAM 8GB 240RDIMM
MT8VDDT3264AY-335K1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-UDIMM MODULE DDR SDRAM 256MB 184UDIMM
MCR18EZHF26R1
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 26.1 OHM 1/4W 1% 1206 SMD