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MUN5312DW1T1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5312DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5312DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5312DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5312DW1T2G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：22k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：22k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：385mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

SDR0403-220ML
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 22UH 0.76A 0403
MX6AWT-H1-0000-000AE6
LED - 高亮度，電源 Cree Inc 2-SMD，鷗翼型接片 LED XLAMP MX6 WHITE SMD
TC54VC2702ECB713
PMIC - 監控器 Microchip Technology TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT DETECTOR 2.7V SOT23A
SV02HA390KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 39PF 3KV 10% RADIAL
MUN5311DW1T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
SMCJ45A
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AB，SMC DIODE TVS 45V 1500W UNI 5% SMD
MTM761110LBF
FET - 單 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products WSMini6-F1-B MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
SDR0403-270JL
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 27UH 710MA SMD
MX6AWT-H1-0000-000AE7
LED - 高亮度，電源 Cree Inc 2-SMD，鷗翼型接片 LED XLAMP MX6 WHITE SMD
SV02HC102KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 3KV 10% RADIAL
SMCJ45CA
TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AB，SMC DIODE TVS 45V 1500W BI 5% SMD
MTM761230LBF
FET - 單 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products WS迷你型6-F1 MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
MX6SWT-A1-0000-0009A9
LED - 高亮度，電源 Cree Inc 2-SMD，鷗翼型接片 LED XLAMP MX6 WHITE PLCC
TC54VC4202ECB713
PMIC - 監控器 Microchip Technology TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT DETEC CMOS 4.2V SOT23A-3
SMCJ45-E3/57T
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW UNIDIR 45V 10% SMC

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