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MUN5233DW1T1詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5233DW1T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5233DW1T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5233DW1T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

OEDL-63-2-6
旋鈕 Kilo International 徑向 KNOB BLK GLOSS.625"DIA.125"SHAFT
MUN5231T1
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
MT332BX
套管 - 音頻 Switchcraft Inc. 63-VFBGA CONN JACK LONG FRAME PHONE
MCR10EZPF3322
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 33.2K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MCR25JZHF16R9
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 16.9 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MS3475L18-11SZ
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS CABLE SCKT
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR
存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
MCR03ERTJ473
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 47K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
OEDL-63-4-7
旋鈕 Kilo International 徑向 KNOB BLK/MATTE.625"DIA 6MM SHAFT
MCR10EZPF3323
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 332K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
MS3475L18-30AZ
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 30POS PIN
MCR25JZHF1780
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 178 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
MCR03ERTJ6R2
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 6.2 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR
存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54VFBGA
OEDL-90-4-5
旋鈕 Kilo International 徑向 KNOB BLK/MATTE.925"DIA.250"SHAFT

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