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MUN5215DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5215DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5215DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5215T1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5215T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5215T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：剪切帶 (CT)

N354-02M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’
N74F166D,602
邏輯 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC
OPA875IDG4
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPA875IDG4
MUN5214DW1T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
HK212512NK-T
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR HIFREQ 12NH+/-.1 0805
MSP10A01180RGEJ
網絡、陣列 Vishay Dale 10-SIP RES ARRAY 180 OHM 9 RES 10-SIP
N354-05M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 5M
N354-03M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 10’
MCT06030D2402BP500
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay BC Components 0603（1608 公制） RES 24.0K OHM 1/10W .1% SMD 0603
N74F193N,602
邏輯 -計數器，除法器 NXP Semiconductors 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC BINARY COUNTER UP/DOWN 16DIP
HK21251N8S-T
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR HIFREQ 1.8+/-3NH 0805
MSP10A012K20FEJ
網絡、陣列 Vishay Dale 10-SIP RES ARRAY 2.2K OHM 9 RES 10-SIP
N354-05M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 5M
N354-05M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 5M
MUN5216DW1T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

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