MUN5214DW1T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商設備封裝：SOT-363
- 包裝：帶卷 (TR)
MUN5214DW1T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商設備封裝：SOT-363
- 包裝：Digi-Reel®
MUN5214DW1T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商設備封裝：SOT-363
- 包裝：剪切帶 (CT)
MUN5214T1詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：202mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）
- 包裝：剪切帶 (CT)
MUN5214T1詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：202mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）
- 包裝：帶卷 (TR)
MUN5214T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT323
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：202mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 Pericom 40-FSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC 16-BIT BUS SW 2-PORT 40-BQSOP
- 微調器 Murata Electronics North America 40-FSOP（0.154"，3.90mm 寬） TRIMMER 33K OHM 0.1W SMD
- 過時/停產零件編號 SofTec Microsystems SRL 40-FSOP（0.154"，3.90mm 寬） PROG HEAD FOR MP8011A 42-DIP
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
- 邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 Pericom 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC 2-BIT BUS SW 2-PORT 8-MSOP
- 面板指示器，指示燈 APEM Components, LLC 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） INDICATOR 24V 6MM RECESSED GRN
- 微調器 Murata Electronics North America 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） TRIMMER 680K OHM 0.1W SMD
- 過時/停產零件編號 SofTec Microsystems SRL 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） PROG HEAD FOR MP8011A 44-QFP
- 面板指示器，指示燈 APEM Components, LLC SC-70，SOT-323 INDICATOR 24V 6MM RECESSED RED
- 邏輯 - 信號開關，多路復用器，解碼器 Pericom 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC 10-BIT 2-PORT BUS SW 24-QSOP
- 微調器 Murata Electronics North America 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） TRIMMER 1M OHM 0.1W SMD
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
- 過時/停產零件編號 SofTec Microsystems SRL PROG HEAD FOR MP8011A 28-DIP
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
0755-82522939 
0755-23919407 
