MUN5211DW1T1詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商設備封裝：SOT-363
- 包裝：剪切帶 (CT)
MUN5211DW1T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商設備封裝：SOT-363
- 包裝：剪切帶 (CT)
MUN5211DW1T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商設備封裝：SOT-363
- 包裝：Digi-Reel®
MUN5211DW1T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：250mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商設備封裝：SOT-363
- 包裝：帶卷 (TR)
MUN5211T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：310mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）
- 包裝：剪切帶 (CT)
MUN5211T1G詳細規格
- 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述：TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
- 電阻器_基極333R1444（歐）：10k
- 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
- 電流_集電極截止（最大）：500nA
- 頻率_轉換：-
- 功率_最大：310mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-70，SOT-323
- 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）
- 包裝：Digi-Reel®
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE SDRAM DDR2 2GB 240DIMM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 430 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 47UF 16V 20% SMD
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
- 配件 Multi-Tech Systems 模塊 CDROM/DOCS/DVR BVRP PHONE TOOLS
- 電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 1000UF 25V 20% SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 4.3K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.75 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 功率 Acme Electric/Amveco/Actown - TRANSFORMER MED 120/240V 400VA
- RF 接收器、發射器及收發器的成品裝置 Multi-Tech Systems 模塊 MODEM CDMA RS-232 DC IP BELL
- 矩形 - 外殼 JAE Electronics 8-WDFN 裸露焊盤 CONN SOCKET 18POS HOUSING 2.2MM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 43K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240-DIMM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 6.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
0755-82522939 
0755-23919407 
