MUBW35-12E7 全國供應商、價格、PDF資料
MUBW35-12E7詳細規格
- 類別：IGBT
- 描述：MODULE IGBT CBI E2
- 系列：-
- 制造商：IXYS
- IGBT類型：NPT
- 配置：三相反相器，帶制動器
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：1200V
- VgewwwwIc時的最大Vce（開）：2.8V @ 15V，35A
- 電流_集電極333Ic444（最大）：52A
- 電流_集電極截止（最大）：400µA
- Vce時的輸入電容333Cies444：2nF @ 25V
- 功率_最大：225W
- 輸入：三相橋式整流器
- NTC熱敏電阻：是
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：E2
- 供應商設備封裝：E2
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 24.3K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- IGBT IXYS E2 MODULE IGBT CBI E2
- 存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH 4GBIT 48TSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 80.6K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存儲器 Micron Technology Inc 78-TFBGA IC DDR3 SDRAM 2GBIT 78FBGA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 1.21K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 19POS CABLE PIN
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 249 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 Opto Diode Corp TO-233AA，TO-8-3 金屬罐 PHOTODIODE LOCAP 12MM 632NM TO-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 80.6K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存儲器 Micron Technology Inc 78-TFBGA IC DDR3 SDRAM 4GBIT 92FBGA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 12.1K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 19POS CABLE PIN
- 光學 - 光電檢測器 - 光電二極管 Opto Diode Corp TO-205AA，TO-5-3 金屬罐 PHOTODIODE 15MM 632NM TO-5
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
15026993318 / 
