MUBW15-12A6 全國供應商、價格、PDF資料
MUBW15-12A6詳細規格
- 類別：IGBT
- 描述：MODULE IGBT CBI E1
- 系列：-
- 制造商：IXYS
- IGBT類型：NPT
- 配置：三相反相器，帶制動器
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：1200V
- VgewwwwIc時的最大Vce（開）：2.9V @ 15V，10A
- 電流_集電極333Ic444（最大）：18A
- 電流_集電極截止（最大）：500µA
- Vce時的輸入電容333Cies444：850nF @ 25V
- 功率_最大：70W
- 輸入：三相橋式整流器
- NTC熱敏電阻：是
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：E1
- 供應商設備封裝：E1
MUBW15-12A6K詳細規格
- 類別：IGBT
- 描述：MODULE IGBT CBI E1
- 系列：-
- 制造商：IXYS
- IGBT類型：NPT
- 配置：三相反相器，帶制動器
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：1200V
- VgewwwwIc時的最大Vce（開）：3.4V @ 15V，15A
- 電流_集電極333Ic444（最大）：19A
- 電流_集電極截止（最大）：600µA
- Vce時的輸入電容333Cies444：0.6nF @ 25V
- 功率_最大：90W
- 輸入：三相橋式整流器
- NTC熱敏電阻：是
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝/外殼：E1
- 供應商設備封裝：E1
- TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 28V 1500W BIDIR SMC
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AB，SMC TRANSIL 28V UNIDIR DO-214AB
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 50V 1% RADIAL
- IGBT IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC MOSFET DRIVER 6A INV 8DIP
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1500W 28V BI-DIR SMC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 27PF 50V 10% RADIAL
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AB，SMC TRANSIL 30V UNIDIR DO-214AB
- LED - 高亮度，電源 Cree Inc 2-SMD，無引線 LED XLAMP MTG EASYWHITE SMD
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-DIP
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW UNIDIR 28V 10% SMC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 270PF 50V 5% RADIAL
- IGBT IXYS E2 MODULE IGBT CBI E2
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK
0512-82613006 
