欧美成人一区二免费视频-欧美久久中文字幕-欧美日韩国产免费一区二区三区-欧美性群另类交

^{<blockquote id="zu6zm"></blockquote>}

51電子網聯系電話：13751165337

當前位置：網站首頁 » 庫存索引23 » 型號"MT4VDDT1664HG-335F3"的供應信息

MT4VDDT1664HG-335F3 全國供應商、價格、PDF資料

MT4VDDT1664HG-335F3詳細規格: 類別：存儲器 - 模塊; 描述：MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 存儲器類型：DDR SDRAM; 存儲容量：128MB; 速度：333MT/s; 特點：-; 封裝/外殼：200-SODIMM

查看更多MT4VDDT1664HG-335F3的供應商

NE5517NG
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
MT5000-3/64-X-STK
熱縮管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
MT4VDDT1664AG-335F3
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 128MB 184-DIMM
MFR-25FRF-887K
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 887KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2R01PA5100N9LF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN RECEPT 110POS TYPE A R/A
NE3509M04-T2-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
NOSV477M006R0075
氧化鈮 AVX Corporation 2924（7361 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 6.3V 2924
NLFV25T-100K-PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD 10UH 10% 252018
MT5000-3/8-2-SP
熱縮管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
MFR-25FRF-8K06
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 8.06KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
HM2R02PA5101E9
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN RECEPT 125POS TYPE B R/A
NE3514S02-T1D-A
RF FET CEL 4-SMD，扁平引線 HJ-FET NCH 10DB S02
NLFV25T-330K-PF
固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD 33UH 10% 252018
NOSW476M004R0150
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 47UF 4V 2312
NE5532AD8R2G
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8-SOIC

復制成功！