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MT4LSDT864HG-133G2 全國供應商、價格、PDF資料

MT4LSDT864HG-133G2詳細規(guī)格: 類別：存儲器 - 模塊; 描述：MODULE SDRAM 64MB 144SODIMM; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 存儲器類型：SDRAM; 存儲容量：64MB; 速度：133MHz; 特點：-; 封裝/外殼：144-SODIMM

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HM2P95PNF110GFLF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT
MFR-25FRF-825R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 825 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
MT4HTF6464AY-53EA1
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE SDRAM DDR2 512MB 240DIMM
NE5500234-AZ
RF FET CEL TO-243AA MOSFET LD N-CH 4.8V 400MA SOT89
NOSE227M006R0080
氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
NLFC453232T-4R7M-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 4.7UH 20% 1812
NLAST4599DFT2G
接口 - 模擬開關(guān)，多路復用器，多路分解器 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC SWITCH SPDT SC88
NE5511279A-T1-A
RF FET CEL 4-SMD，扁平引線 MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
HM2P95PNF120GFLF
背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 200POS TYPE DE VERT
NE3509M04-A
RF FET CEL SOT-343F AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
NLFC453232T-6R8M-PF
固定式 TDK Corporation 1812（4532 公制） INDUCTOR SHIELD 6.8UH 20% 1812
NOSE227M006R0080
氧化鈮 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 6.3V 2917
NE5517NG
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP
MT5000-3/64-X-STK
熱縮管 TE Connectivity 200-SODIMM HEAT SHRINK TUBING
MT4VDDT1664AG-335F3
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR 128MB 184-DIMM

復制成功！

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