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MT29F64G08CECCBH1-12:C詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FLASH NAND 64GB 100VBGA; 系列：-; 制造商：Micron Technology Inc; 格式_存儲器：閃存; 存儲器類型：閃存 - NAND; 存儲容量：64G（8G x 8）; 速度：-; 接口：并聯; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：100-VBGA; 供應商器件封裝：100-VBGA（12x18）; 包裝：散裝

MT29F64G08CECCBH1-12:C供應商

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MT5HTF6472KY-53EA2
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 244-DIMM MODULE DDR2 512MB 244-DIMM
MCR03EZPJ274
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 270K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
MT29F64G08AMCBBH2-12:B
存儲器 Micron Technology Inc 100-TBGA IC FLASH NAND 64GB 100TBGA
HF365/64SF
扁平帶 3M CABLE 64COND RIBBON LT GRY 25FT
MX25L3206EZNI-12G
存儲器 Macronix 8-WDFN 裸露焊盤 IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8WSON
OMI-SS-205LM,500
功率，高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
MVA25VC151MH10TP
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 150UF 25V 20% SMD
MT5VDDT1672HG-265F3
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR2 128MB 200SODIMM
MCR18EZHF2052
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 20.5K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
HF50ACB201209-T
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0805（2012 公制） FERRITE CHIP 11 OHM 600MA 0805
MX25L4006EPI-12G
存儲器 Macronix 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC FLASH SER 3V 4MB 86MHZ 8PDIP
OMI-SS-248L,500
功率，高于 2 安 TE Connectivity 3-SIP RELAY GEN PURPOSE DPDT 5A 48V
MVA25VE332MM22TR
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 3300UF 25V 20% SMD
MT5VDDT1672HG-26AC3
存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE SDRAM DDR 128MB 200SODIMM
MCR18EZHF2053
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 205K OHM 1/4W 1% 1206 SMD