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MSA1162GT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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MSA1162GT1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS GP PNP 50V SC59
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V
功率_最大：200mW
頻率_轉換：80MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SC-59
包裝：剪切帶 (CT)

MSA1162GT1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS GP PNP 50V SC59
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V
功率_最大：200mW
頻率_轉換：80MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SC-59
包裝：Digi-Reel®

MSA1162GT1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路
描述：TRANS GP PNP 50V SC59
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：PNP
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 10mA，100mA
電流_集電極截止（最大）：100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，6V
功率_最大：200mW
頻率_轉換：80MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：SC-59
包裝：帶卷 (TR)

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