

MMST2907A-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):600mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:帶卷 (TR)
MMST2907A-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):600mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMST2907A-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):600mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:帶卷 (TR)
MMST2907A-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):600mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMST2907A-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 60V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):600mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SOT-323
- 包裝:Digi-Reel®
MMST2907AT146詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):600mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 頻率_轉換:200MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SMT3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 22.1K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control 0805(2012 公制) SWTCH ROTRY LEVR W/RUB ROLL SIDE
- 晶體管(BJT) - 單路 Micro Commercial Co SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 40V 200MW SOT323
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 39K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- 單二極管/齊納 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 33V 350MW SOT23-3
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control 0805(2012 公制) SWTCH ROTRY LEVR W/MTL ROLL SIDE
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 12"
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 10.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 23.7K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 33V 225MW SOT-23
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay BC Components 0805(2012 公制) RES 10K OHM 1/8W .1% SMD 0805
- D-Sub ITT Cannon MICRO-D PLUG 37POS SKT 18" WIRE
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control 0805(2012 公制) GLOBAL LIMIT SWES GLLSIDE ROTARY
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 10.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 26.1K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE