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MJD117T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉(zhuǎn)換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：Digi-Reel®

MJD117T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉(zhuǎn)換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

MJD117T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：1.75W; 頻率_轉(zhuǎn)換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3; 包裝：剪切帶 (CT)

MJD117T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉(zhuǎn)換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

MJD117T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉(zhuǎn)換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

MJD117T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PWR DARL SILICON D-PAK; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP - 達(dá)林頓; 電流_集電極333Ic444（最大）：2A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：3V @ 40mA，4A; 電流_集電極截止（最大）：20µA; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：1000 @ 2A，3V; 功率_最大：20W; 頻率_轉(zhuǎn)換：25MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

MLG1005S51NJ
固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 51NH 0402
MJD112TF
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
P51-200-G-AA-I12-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 7/16-20UNF .5-4.5V
NR10050T101M
固定式 Taiyo Yuden 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 100UH 1.3A 20% SMD
NRS8040T0R9NJGJ
固定式 Taiyo Yuden 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 0.9UH 7.8A SMD
NSR15DW1T1
二極管，整流器 - 陣列 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SCHOTTKY DUAL 30MA15V SC88
MMA7456LR2
加速計(jì) Freescale Semiconductor 14-VFLGA ACCELEROMETER 3AXIS DGTL 14-LGA
NTLJD3119CTAG
FET - 陣列 ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
MLG1005S5N1S
固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 5.1NH 0402
NRS8040T150MJGJ
固定式 Taiyo Yuden 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 15UH 2.4A SMD
NR10050T220M
固定式 Taiyo Yuden 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 22UH 2.6A 20% SMD
NSR15DW1T1G
二極管，整流器 - 陣列 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SCHOTTKY DUAL 30MA15V SC88
MMA7660FCR1
加速計(jì) Freescale Semiconductor 10-VFDFN ACCELEROMETER 3X3 DGTL 10-DFN
NTLJD3119CTBG
FET - 陣列 ON Semiconductor 6-WDFN 裸露焊盤 MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN
MLG1005S6N8J
固定式 TDK Corporation 0402（1005 公制） INDUCTOR MULTILAYER 6.8NH 0402