MCR18EZHF2103 全國供應商、價格、PDF資料
MCR18EZHF2103詳細規(guī)格
- 類別:芯片電阻 - 表面安裝
- 描述:RES 210K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列:MCR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 電阻333Ω444:210k
- 功率333W444:0.25W,1/4W
- 成分:厚膜
- 特性:-
- 溫度系數:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封裝/外殼:1206(3216 公制)
- 供應商器件封裝:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子數:2
- 包裝:帶卷 (TR)
MCR18EZHF2103詳細規(guī)格
- 類別:芯片電阻 - 表面安裝
- 描述:RES 210K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列:MCR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 電阻333Ω444:210k
- 功率333W444:0.25W,1/4W
- 成分:厚膜
- 特性:-
- 溫度系數:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封裝/外殼:1206(3216 公制)
- 供應商器件封裝:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子數:2
- 包裝:剪切帶 (CT)
MCR18EZHF2103詳細規(guī)格
- 類別:芯片電阻 - 表面安裝
- 描述:RES 210K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 系列:MCR18
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 電阻333Ω444:210k
- 功率333W444:0.25W,1/4W
- 成分:厚膜
- 特性:-
- 溫度系數:±100ppm/°C
- 容差:±1%
- 封裝/外殼:1206(3216 公制)
- 供應商器件封裝:1206(3216 公制)
- 大小/尺寸:0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
- 高度:0.026"(0.65mm)
- 端子數:2
- 包裝:Digi-Reel®
- RF 天線 Kaltman Creations LLC 3-SIP ANTENNA ISOTRP 700MHZ-2.5GHZ RAD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 1000UF 50V 20% SMD
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 200-SODIMM MODULE DDR 256MB 200-SODIMM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 21.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 39 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 存儲器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA
- 存儲器 Macronix 8-WDFN 裸露焊盤 IC FLASH SER 4MB 40MHZ 8WSON
- 鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 1210(3225 公制) FERRITE CHIP 60 OHM 1.5A 1210
- UPS系統(tǒng) Tripp Lite 3-SIP UPS 1050VA 705W 6OUT W/SOFTWARE
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 200-SODIMM TERM BARRIER 6CIRC DUAL ROW
- 存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) IC FLASH 8GBIT 48TSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 390K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 存儲器 Macronix 8-WDFN 裸露焊盤 IC FLASH MEM 64MB 104MHZ 8WSON
- 鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 2220(5750 公制) FERRITE CHIP 400 OHM 3.0A 2220
- 信號,高達 2 A TE Connectivity 3-SIP RELAY REED SPST 500MA 12V